











































































Приймаємо
SSD накопичувач Samsung 9100 PRO 2 TB with Heatsink — це високопродуктивне рішення для користувачів, які прагнуть максимальної швидкості та надійності. З інтерфейсом PCI Express 5.0 та форм-фактором M.2 2280, цей накопичувач ідеально підходить для сучасних систем, включаючи ігрові ПК та робочі станції.
Швидкість читання досягає 14 800 МБ/с, а швидкість запису — 13 400 МБ/с, що робить Samsung 9100 PRO одним із найшвидших SSD на ринку. Підтримка протоколу NVMe 2.0 забезпечує неймовірну продуктивність, а випадкові швидкості читання та запису досягають 2 200K IOPS та 2 600K IOPS відповідно.
Накопичувач також пропонує оптимізоване енергоспоживання, що знижує тепловиділення та збільшує термін служби пристрою. Контролер власної розробки Samsung гарантує стабільну роботу при високих навантаженнях, що є особливо важливим при використанні в ресурсомістких додатках.
Samsung 9100 PRO сумісний з більшістю сучасних операційних систем, що робить його ідеальним вибором для систем зберігання даних, робочих станцій та ігрових складання. Цей SSD доступний у різних ємностях: 1, 2, 4 та 8 ТБ, що дозволяє вибрати оптимальний варіант під ваші потреби.
Ви можете купити SSD накопичувач Samsung 9100 PRO 2 TB with Heatsink за конкурентоспроможною ціною. Ми гарантуємо швидку доставку та наявність товару на складі. Не пропустіть можливість покращити продуктивність вашого комп'ютера за допомогою цього потужного SSD.
Замовте Samsung 9100 PRO 2 TB with Heatsink вже сьогодні та отримайте максимальну продуктивність для ваших програм! Не пропустіть шанс придбати недорого SSD накопичувач Samsung 9100 PRO.
Бренд - Samsung
Лінійка - 9100 PRO
Тип - SSD накопичувач
Об'єм - 2000 ГБ
Інтерфейс – M.2 (PCI-E 5.0)
Тип флеш-пам'яті - V-NAND TLC
Контролер - Samsung in-house Controller
Підтримка TRIM – є
Серія - 9100 PRO
Форм-фактор - M.2 2280
Розміри, мм – 80.1 x 25 x 8.8
Максимальна швидкість читання, МБ/с – 14700
Максимальна швидкість запису, МБ/с – 13400
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS – 1850000
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS – 2600000
DRAM-буфер - + (Samsung 2GB Low Power DDR4X)
Ресурс запису (TBW), TB – 1200
Середній час напрацювання на відмову (MTBF), млн. годин – 1.5
Стійкість до ударів – 1500g/0.5ms
0.0
Дякуємо, відгук буде додано після перевірки адміністрацією.